La 1N5822 est une diode redresseuse à barrière Schottky montée dans un boîtier époxy à fils axiaux utilisant une jonction métal-silicium pour produire une chute de tension directe et des temps de récupération inverse instantanés.
XAF 500
Extremely Low Forward Voltage
Low Stored Charge
Majority Carrier Conduction
Low Power Loss/High Efficiency
These are Pb−Free Devices
1N5822 Specification
Mfr Package Description DO-201A, 2 PIN
Diode Type RECTIFIER DIODE
Diode Element Material SILICON
Forward Voltage-Max (VF) 0.7 V
Non-rep Pk Forward Current-Max 150.0 A
Operating Temperature-Min -55.0 Cel
Operating Temperature-Max 150.0 Cel
Output Current-Max 3.0 A
Rep Pk Reverse Voltage-Max 40.0 V
Reverse Current-Max 1500.0 µA